［ファインMEMSプロジェクト 2006-2008］

研究開発テーマ：ＭＥＭＳ／半導体の一体形成技術の開発

MEMS-半導体縦方向配線技術

（三次元配線構造インターポーザル技術）

（助成事業：株式会社フジクラ）

従来のエッチング方法と異なる、方法・材料（レーザ、絶縁基板など）を用いて基板に垂直な微細孔だけでなく、クランク等の自由度のある形状の形成を可能とし、その孔内に溶解金属を充填する事により貫通配線とする技術を開発する。

　開発者の抱負

　橋本　廣和

　電子デバイス研究所シリコン技術開発部　部長

　基板内部で屈曲、分岐等の構造を持つ三次元的に自由度の高い縦インターポーザルを開発し、その構造の電気特性、気密性、信頼性等について評価する事により、MEMSデバイス、高周波デバイス等の小型化、高機能化、高密度化、高信頼性に貢献したいと考えております。