［ファインMEMSプロジェクト 2006-2008］
研究開発テーマ：ＭＥＭＳ／半導体の一体形成技術の開発

MEMS-半導体プロセス統合モノリシック製造技術
（新たなセンシング原理の探求）
（委託事業：立命館大学）
ナノスケールSiのピエゾ抵抗効果のメカニズム解明を行い、新しいセンシング原理の発現と高機能センシングデバイスへの応用を行う。
　開発者の抱負
　鳥山　寿之
　理工学部マイクロ機械システム工学科　教授
ナノスケールシリコンの弾性力学的特性やピエゾ抵抗効果を理論と実験事実に基づいて総合的に解明することは、極めて基礎的な研究です．新規MEMSの開発にはデバイスの製作技術と平行して、このような地道な研究のアプローチが不可欠であると信じて挑戦します。