［ファインMEMSプロジェクト 2006-2008］
研究開発テーマ：ＭＥＭＳ／ＭＥＭＳの高集積結合技術の開発

ビルドアップ型多層MEMS集積化技術
（チップレベルの高精度接合技術）
（助成事業：横河電機株式会社）
シリコンMEMSと異種材料である光化合物半導体チップとの高精度の３次元位置合わせ接合技術を開発する。この技術を用いて波長可変レーザデバイスを試作し、素子の特性のばらつきや歩留まり、信頼性や安定性を評価し改善することにより接合技術の実証とブラッシュアップを行う。
　開発者の抱負
　渡辺　哲也
　技術開発本部 先端技術研究所 MEMS研究室長
化合物半導体の技術とシリコンMEMSの技術を融合させることにより、従来に無い画期的なデバイスを作ることができます。
そのために必要な高い接合技術をこのプロジェクトで開発していきます。
また開発したデバイスを何としても実用化するところまでもって行きたいと考えています。