番号 |
個 別 研 究 テ ー マ |
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(高機能センサネットシステム) |
1 |
半導体クリーンルームセンサネットシステム |
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2 |
植物工場センサネットシステム |
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(8インチMEMSライン) |
3 |
最先端8インチMEMSラインの構築 |
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(高機能センサモジュール) |
4.1 |
高機能センサモジュール開発 |
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4.2 |
センサネットモジュール用低消費電力LSI |
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4.3.1 |
新センサデバイス原理:ナノ構造ガスセンサ |
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4.3.2 |
新センサデバイス原理:低消費電力センサ・無線モジュールへの検討 |
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4.3.3 |
新センサデバイス原理:パーティクルセンサ |
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4.3.4 |
新センサデバイス原理:汚染ガスセンサ |
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4.3.5 |
新センサデバイス原理:振動発電を中心とした小型高効率発電デバイス |
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4.3.6 |
新センサデバイス原理:センサ用パワーマネジメントデバイス |
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4.3.7 |
新センサデバイス原理:高感度温度センシング用機能薄膜 |
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(低環境負荷型プロセス開発Ⅰ) |
5 |
低環境負荷ポリマー・センサ融合プロセス |
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6 |
スマートプロトタイピング・ファブシステム |
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6.1.1 |
センサTEG:圧電ジャイロ |
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6.1.2 |
センサTEG:シリコンメンブレン |
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6.2.1 |
センサTEG:中性粒子ビームエッチング |
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6.2.2 |
センサTEG:マイクロプローブ |
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6.3 |
欠陥ばらつき評価におけるモデリング・計測技術 |
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(低環境負荷型プロセス開発Ⅱ) |
7 |
低環境負荷型深堀りエッチング技術 |
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8 |
低環境負荷型集積化プロセス基盤技術 |
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(ま と め) |
Gデバイス成果概要資料(事後評価分科会資料) |
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以下の資料はNEDOの事後評価分科会公開分よりダウンロードしたものです。詳細は、次のページをご参照ください。 NEDO H23年評価委員会本事業ページ
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資料内容 |
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1 |
事業原簿本文[1](表紙~Ⅳ-18) |
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2 |
事業原簿本文[2](Ⅴ-1~Ⅴ-104) |
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3 |
事業原簿本文[3](Ⅴ-105~Ⅴ-194) |
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4 |
事業原簿本文[4](Ⅴ-195~Ⅴ-317) |
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5 |
事業原簿本文[5](Ⅴ-318~Ⅴ-414) |
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6 |
事業原簿本文[6](Ⅴ-415~Ⅴ-503) |
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7 |
事業原簿本文[7](Ⅴ-504~Ⅴ-638) |
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8 |
事業原簿 添付資料 |
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9 |
プロジェクトの概要説明資料 |
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10 |
プロジェクトの詳細説明資料 |
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また、以下はNEDO研究評価委員会による事後評価報告書の資料です。
平成23年度「異分野融合型次世代デバイス製造技術開発プロジェクト/
高機能センサネットシステムと低環境負荷型プロセスの開発」事後評価報告書ページ
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資料内容 |
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「異分野融合型次世代デバイス製造技術開発プロジェクト/高機能センサネットシステムと低環境負荷型プロセスの開発」事後評価報告書 |
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