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Gデバイス研究体
Gデバイス研究体はGデバイスセンターおよびGデバイスセンター関西を統括する研究開発組織。
研究体長 |
前田 龍太郎(産総研集積マイクロシステム研究センター長) |
Gデバイスセンター
Gデバイスセンターは産業技術総合研究所(つくば東)集積マイクロシステム研究センター内に研究拠点を有し、関係企業、大学、産総研などから研究者が結集。
センター長 |
伊藤 寿浩(産総研集積マイクロシステム研究センター) |
副センター長 |
逆水 登志夫 および 原田 武 |
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Gデバイス研究体
研究体長 前田 龍太郎 |
Gデバイスセンター
センター長 伊藤 寿浩 |
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Gデバイスセンターは、Gデバイスセンター関西とともに研究項目⑤「高機能センサネットシステムと低環境負荷型プロセスの開発」 に関する研究開発を実施しました。Gデバイスセンターにおける研究テーマは以下の通り。
(1)高機能センサネットシステム開発
最先端8インチMEMS製造ラインの新設
オンデマンド型のエネルギーマネージメント方式の実証
(2)低環境負荷型プロセス技術開発
シリコン深掘りエッチング技術の研究
製造情報共有化(スマートファブシステム)の研究
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〒305-8564 茨城県つくば市並木1-2-1 産業技術総合研究所(つくば東)
集積マイクロシステム研究センター内 Gデバイス研究体 |
TEL 080-4173-9860 アクセス |
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